Recherche
fr
Obtenez un devis
Maison IGBT

Module de puissance IGBT pour convertisseur de fréquence 650 V 200 A en boîtier standard

high power igbt module
power igbt module

Module de puissance IGBT pour convertisseur de fréquence 650 V 200 A en boîtier standard

Ce module de puissance, doté d'un boîtier standard et d'un substrat en cuivre, est spécialement conçu pour les convertisseurs de fréquence, les alimentations sans interruption (ASI), les variateurs de vitesse et les machines à souder. Il présente une tension de claquage de 650 V, une capacité de court-circuit élevée et une température de jonction de fonctionnement jusqu'à 150 °C. Compatible avec les circuits industriels courants et adapté à la production en série, il répond aisément aux exigences des applications industrielles les plus répandues.

DEMANDEZ UN DEVIS DÈS MAINTENANT
CATÉGORIES DE PRODUITS

Comment pouvons-nous vous aider ?
Vous pouvez nous contacter de la manière qui vous convient le mieux. Nous sommes disponibles 24h/24 et 7j/7 par courriel ou par téléphone.
CONTACTEZ-NOUS
Nouveaux produits

Points forts du produit

  • # Haute tension et courant élevé, capacité de charge stable
    Avec une tension de blocage de 650 V, un courant continu de 200 A et un courant de crête de 400 A, il répond aux exigences des applications haute puissance. Sa grande tolérance aux courts-circuits renforce la sécurité des équipements.
  • # Faibles pertes et rendement élevé
    L'utilisation d'une structure à grille de tranchée/sans traversée a permis de tester et de calibrer les pertes de commutation. Elle présente de faibles pertes et un fonctionnement plus efficace du système.
  • # Excellente dissipation de chaleur et longue durée de vie
    Grâce à l'utilisation d'un substrat en cuivre et d'une structure d'isolation interne en Al₂O₃, l'efficacité de dissipation de chaleur est élevée et les performances d'isolation sont fiables, assurant ainsi le fonctionnement stable à long terme du module.

 

Scénario d'application : Convertisseur de fréquence

1. Convertisseur de fréquence

2. Alimentation sans interruption

3. Entraînement par moteur

4. Machine à souder électrique

 

FAQ courantes

Q1 : Combien de périphériques d'alimentation ce module peut-il prendre en charge ?

A : Spécifications 650 V/200 A, adaptées aux onduleurs/variateurs de puissance moyenne à grande de plusieurs milliers de kW.

 

Q2 : Quelle est la plage de températures de fonctionnement ?

A : Plage de température de jonction de fonctionnement -40℃ ~ 150℃, assurant un fonctionnement fiable dans des environnements industriels à haute et basse température.

 

Q3 : Quelles sont les caractéristiques de protection et de sécurité ?

A : Tension de tenue d'isolation de 2,5 kV, distance de fuite de 10 mm, capacité de court-circuit élevée, fiabilité sur une large plage de températures, conforme aux normes de sécurité industrielles.

 

Paramètres de spécification :

IGBT, onduleur

Valeurs maximales nominales

Paramètre

Symbole

Conditions

Valeurs

Unité

Collectionneur-emate valtitude

VCES

Tvj = 25℃

650

V

CC continu ccollectionneur ccourant

IC nom​

TC = 70℃,

Tvj max =150℃

200

A

Répétitif peak ccollectionneur ccourant

ICRM

tP=1 ms

400

A

Total ppuissance ddissipation

Ptout-petit

TC = 25℃,

Tvj max = 150℃

698

W

Grille-emate peak valtitude

VGES

-

±20

V

 

Valeurs caractéristiques

Paramètre

Symbole

Conditions

Valeurs

Unité

Min.

Typ.

Max.

tension de saturation collecteur-émetteur

VCE(sat)

VGE =15V,

IC = 200A

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

1,70

2.00

2.10

1.9

-

-

V

tension de seuil de grille

VGE(th)

IC =3,2 mA,

VCE = VGE,

Tvj = 25℃

5.0

5,832

6.8

V

résistance de grille interne

RGint

Tvj = 25℃

-

2

-

Ω

courant de coupure collecteur-émetteur

ICES

VCE= 650 V ,

VGE = 0V

Tvj = 25℃

-

-

0,1

mA

courant de fuite grille-émetteur

IGES

VCE = 0 V,

VGE = 20 V,

Tvj = 25℃

-

-

500

nA

capacité d'entrée

Cies

VCE = 25 V, VGE = 0V,

f = 1 MHz,Tvj = 25℃

-

15000

-

pF

capacité de transfert inverse

Cres

-

280

-

pF

Délai d'allumage

tenfiler)

VCE = 300 V,

IC = 200A,

VGE = ±15 V,

RG = 4,7 Ω

 

Tvj = 25℃

Tvj = 125℃

Tvj = 150℃

-

-

-

0,106

0,116

0,118

-

-

-

μs

Temps de montée, charge inductive

tr

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

0,103

0,109

0,11

-

-

-

Délai de mise hors tension, charge inductive

td(off)

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

0,165

0,177

0,179

-

-

-

Temps d'automne, charge inductive

tf

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

0,084

0,096

0,1

-

-

-

Perte d'énergie à l'allumage par impulsion

Eon

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

1,591

3,045

3.442

-

-

-

mJ

Perte d'énergie par impulsion à l'arrêt

Edésactivé

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

4,458

5.176

5,37

-

-

-

Données SC

Isc

VGE = 15 V,VCC = 300 V

tP = 10 µs, Tvj = 150℃

-

960

-

A

Résistance thermique, boîtier de jonction

RthJC

par IGBT

-

-

0,179

K/W

Température en conditions de commutation

Tvj op

 

-40

 

-

150

℃

 

Diode, onduleur

Valeurs maximales des notes

 

Paramètre

Symbole

Conditions

Valeurs

Unité

Tension inverse de crête répétitive

VRRM

Tvj=25°C

650

V

Courant continu direct

IF

 

200

A

Courant direct de crête répétitif

IFRM

tp=1ms

400

A

 

Valeurs caractéristiques

Paramètre

Symbole

Conditions

Valeurs

Unité

Min.

Typ.

Max.

Tension directe

VF​

VGE = 0 V,

IF = 200 A

Tvj = 25℃

Tvj = 125℃

Tvj = 150℃

-

-

-

1,661

1,682

1,651

2,25

-

-

V

Courant de récupération inverse de crête

IRM

VR=300V,

IF =200A,

dIF/dt=5400A/µs

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

76

85

89

-

-

-

A

Frais de recouvrement

Qr​

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

5.251

6.226

6,455

-

-

-

µC

Énergie de récupération inverse par impulsion

Erec​

IF =200A,

VR = 300V,

VGE = -15V

Tvj= 25℃

Tvj= 125℃

Tvj= 150℃

-

-

-

1,298

2.049

2,382

-

-

-

mJ

Résistance thermique, boîtier de jonction

RthJC

par diode

-

-

0,303

K/W

Conditions de commutation de température

Tvj op​

 

-40

-

150

℃

 

Module

Paramètre

Symbole

Conditions

Valeurs

Unité

Tension d'essai d'isolement

VISOL​

 

2.5

kV

Matériau de la plaque de base du module

 

 

Cu

 

Matériau d'isolation interne

 

 

Al2O3

 

distance de fuite

 

Borne vers dissipateur thermique

10.0

mm

module d'inductance parasite

Ls​

 

35

nH

température de stockage

Tstg​

 

−40∼125

∘C

Couple de serrage pour le montage du module

M

Vis M6 - Montage

conformément à la note de demande valide

3.0 ~ 6.0

N·m

Couple de connexion des bornes

M

Vis M5 - Montage

conformément à la note de demande valide

3.0 ~ 6.0

N·m

Poids

G

 

163

g

 

Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)

IC = f (VCE)

VGE = 15 V

high power igbt

Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)

IC = f (VCE)

Tvj = 150℃

igbt module circuit diagram

Caractéristique de transfert IGBT, onduleur (typique)

IC = f (VGE)

VCE = 20 V

igbt power module

 

Pertes de commutation IGBT, onduleur (typiques)

Eon = f (IC), Edésactivé = f (IC),

VGE = ±15 V, Ron = 4,7 Ω, Rdésactivé = 4,7 Ω, VCE = 300 V

igbt module inverter

Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur (typique)

ZthJC = f (t)

igbt inverter module

Caractéristique directe de la diode, onduleur (typique)

IF = f (VF)

igbt power modules

 

Impédance thermique transitoire Diode, Onduleur (typique)

ZthJC = f (t)

full bridge igbt module

Pertes de commutation Diode, Onduleur (typiques)

Erec = f (IF), RGon = 4,7 Ω, VCE = 300 V

full bridge igbt module

En-tête du schéma de circuit

half bridge igbt module

Description du colis

h bridge igbt module

à propos de : mm

 

 

 

MOTS-CLÉS POPULAIRES :

Module demi-pont IGBT

Module IGBT de conversion de fréquence

Module IGBT 650 V 200 A

laissez un message
Si nos produits vous intéressent et que vous souhaitez en savoir plus, veuillez laisser un message ici, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
soumettre

Produits associés

650V high performance IGBT module
Module de puissance IGBT haute performance 650 V EN SAVOIR PLUS
high power igbt module
Module de puissance IGBT pour convertisseur de fréquence 650 V 200 A en boîtier standard EN SAVOIR PLUS
laissez un message
Si nos produits vous intéressent et que vous souhaitez en savoir plus, veuillez laisser un message ici, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
soumettre
Contactez-nous ici
MOTS-CLÉS POPULAIRES
laissez un message
Si nos produits vous intéressent et que vous souhaitez en savoir plus, veuillez laisser un message ici, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Envoyez votre demande
Maison | Blog | Produits | Nouvelles

Droits d'auteur © 2026 Xiamen Wise Electrical Technology Co., Ltd All Right Reserved.

IPv6 network supported.
Plan du site XML blog politique de confidentialité

laissez un message

laissez un message
Si nos produits vous intéressent et que vous souhaitez en savoir plus, veuillez laisser un message ici, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
soumettre
CONTACTEZ-NOUS: wisedrv@wiseelec.cn

Maison

Produits

WhatsApp

Contactez-nous